Ultra-segondè pite elektwolitik fè flak|4n+ pite pou aplikasyon kritik
Klas Medikal, Aerospace & Semiconductor|ISO 13485 & AS9100D sètifye
Materyèl pite pi lwen pase estanda endistri
Beilun metal redefini ultra-pwòp metaliji ak99.995% (5N) elektwolitik fè flak, Enjenieri nan teknoloji propriétaires trip-etap pou pirifye. Pwosesis avanse nou an diminye enpurte gaz pa80%konpare ak metòd konvansyonèl yo.
Konpozisyon eleman (valè tipik)
| Eleman | Klas estanda | Klas ba-gaz | Kle konkiran |
|---|---|---|---|
| Fe | Pi gran pase oswa egal a 99.99% | Pi gran pase oswa egal a 99.995% | 99.97% |
| C | Mwens pase oswa egal a 30 ppm | Mwens pase oswa egal a 15 ppm | 50 ppm |
| O | Mwens pase oswa egal a 150 ppm | Mwens pase oswa egal a 50 ppm | 250 ppm |
| N | Mwens pase oswa egal a 20 ppm | Mwens pase oswa egal a 5 ppm | 30 ppm |
| S | Mwens pase oswa egal a 10 ppm | Mwens pase oswa egal a 2 ppm | 15 ppm |
| Ni+cr | Mwens pase oswa egal a 5 ppm | Mwens pase oswa egal a 1 ppm | 20 ppm |
Pwosesis manifakti propriétaires
Etap 1: revizyon elektwolitik
Electrolysis manbràn bipolè (patant CN202310xxxxxx)
Kontwòl dansite aktyèl:200–500 A/m² ±1%
To depozisyon katodik:{{0}}. 15-0.25 mm/h
Etap 2: pwosesis vakyòm
Elèktron gwo bout bwa k ap fonn (EBM) nan10⁻⁴ PAvakyòm
Dynamic Degassing kontwole pa analyser gaz rezidyèl
Etap 3: Jeni mòfoloji
Flakes gaz-atomize ultrasons:D50 = 120–180 µm
Idwojèn-redwi brutality sifas:Ra mwens pase oswa egal a 0. 8 µm
Aplikasyon pou misyon-kritik
Implants medikal
Astm f 138- konpatib òtopedik pre-alyaj materyèl
MRI-SAFE chirijikal robo transmisyon konpozan
Antibiotics kouch substrats (ISO 22196 konfòme)
Sistèm Ayewospasyal
Pwa balans satelit (CTE 11.6 × 10⁻⁶/k)
Fize gaz valv elèktroforming matris
Atach sistèm pwoteksyon tèmik
Semiconductor manifakti
Sputtering sib precursors (4n8 pite)
Single-kristal Silisyòm Crucible Materio ki kouvri
EUV litografi pati levitasyon mayetik
Sètifikasyon & Konfòmite
AS9100DJesyon Kalite Aerospace
ISO 13485Pwodiksyon aparèy medikal
Semi F40Sètifikasyon Materyèl Elektwonik
Rive SVHCDeklarasyon sibstans-gratis
Siperyorite teknik
| Posesyon | Klas estanda | Klas ba-gaz | Referans endistri |
|---|---|---|---|
| Konduktivite (MS/M) | 9.8 | 10.2 | 8.5 |
| Pèmeyabilite (μ/μ₀) | 1,200 | 1,500 | 800 |
| Fòs rupture (MPa) | 210 | 180 | 150 |
| Rkristalizasyon tanperati (degre) | 680 | 720 | 620 |
| To outgassing (Torr · L/S) | 5×10⁻⁹ | 2×10⁻⁹ | 1×10⁻⁸ |
Pwotokòl asirans kalite
GDMS analiz: Eskanè plen eleman (limit deteksyon:0. 1 ppb)
Kat-eds kat: Konpozisyon sifas nan1 µm rezolisyon
Tès kontni gaz: LECO ONH836 Analyzer
Verifikasyon gwosè grenn: Astm e 112-13 Konfòmite
Blockchain trasabilite: Dosye pakèt imuiabl
Pwodiksyon dirab
85% enèji vètItilizasyon nan manifakti
99.3% pousantaj rekiperasyon metalsoti nan dechè pwosesis
1.8 kg co₂/kg pwodwianprint kabòn
Zewo egzeyat likid (ZLD) tretman dlo
Kapasite personnalisation
Opsyon mòfoloji
Epesè:{{0}}. 05–2.0 mm(lazè-tretman)
Fini sifas: pasivated/nikèl-plake/kabòn-kouvwi
Solisyon anbalaj
VCI anbalaj anti-korozyon (klas 100 CleanRoom)
Sache papye aliminyòm ki gen vakyòm (<10 ppm O₂)
RFID ki pèmèt Smart Suivi
Kesyon yo mande anpil
K: Ki jan ou fè diminye embrittlement idwojèn?
A: pyèj idwojèn estabilize kontni H nanMwens pase oswa egal a 0. 3 ppm
K: epesè minimòm ki ka reyalize?
A: 20 µmVia EBM + Rolling pwosesis ibrid
K: mezi kontwòl radyasyon?
A: HPGE gamma spèktroskopi asireU/th<0.01 Bq/g
K: kantite lòd minimòm (MOQ)?
A: 10 kgpou R & D;1 Mtpou pwodiksyon
Poukisa Beilun Metal?
✓ Premye globalman pou reyalizeSemi F40Sètifikasyon pou fè elektwonik-klas
✓ 24/7 Sipò teknik pale plizyè lang
✓ Mil-espèk pwotokòl sekirite chèn
Baj popilè: Elektwolitik fè flak -- metal beilun, Lachin elektwolitik flakes fè -- Beilun metal manifaktirè, founisè, faktori
